深耕功率器件市场 引领行业新坐标

来源: 中国联合商报              时间:2010-11-17 09:36

■CUBN 记者 易斐 北京报道

       江苏东光微电子股份有限公司(以下简称东光微电)在半导体分立器件和集成电路诸多细分领域具有较强的技术优势、领先的市场地位和较高的市场占有率。公司集芯片设计、芯片制造、封装测试、直销、售后服务于一体。2007 年-2009 年,营业收入分别为1.11亿元,1.45亿元和1.62 亿元,收入年复合增长率21% ;净利润分别为2966万元、1978 万元和2316万元。过去三年综合毛利率分别为39.71%,31.23% 和32.42%,处于业内领先水平,高于主板的华微电子和士兰微等。将向社会公众发行人民币普通股2700万股,募集资金用于半导体防护功率器件生产线项目、新型功率半导体器件生产线技改项目和半导体封装生产线项目等3个项目,项目总投资额18,082万元。

       半导体防护功率器件亦称保护器件,用以对昂贵的电路提供保护,以免受到突发的过高电压或过大电流损害。利用这些元器件可使产品具有抗雷电浪涌、静电放电、电瞬变,电感负载切换以及交流电源波动的能力。防护功率器件是公司主要优势产品,在国内通讯领域被中国电信等基础电信运营商认定为其设备供应商的指定采购产品,2009年市场占有率达80%以上,具有绝对优势是该领域当仁不让的龙头企业。2009年防护器件收入占比达32.92%,是公司稳定的收入之柱之一。目前防护器件年产能为1.3亿只,2009 年防护器件的产能利用率已达到105.05%。该项目将新建1条4英寸半导体防护功率器件生产线,项目建成后将新增防护功率器件年产能2.22亿只。

       如果说防护器件扩产项目是解决产能瓶颈,借以巩固公司在防护器件领域领先地位是“守城”的话。那么新型功率半导体器件生产线技改项目则将会是东光微电的一次精彩的“亮剑”有望使公司成为半导体器件这个极富想象空间行业新的龙头。当前该线主要生产声效应功率晶体管(VDMOS)和晶闸管控制器(IGBT)产品。VDMOS无论是开关应用还是线形应用,都是理想的功率器件,但国内市场基本处于外资垄断状态。根据CCID的统计,中国功率型金氧半场效晶体管(MOSFET)市场前几位分别是:Fairchild、ST和Vishay.欧美企业占据前十大企业中9席。而前10名国外厂商占据中国市场60%份额。众多国内厂商都想扩大自身的市场份额,但苦于技术门槛较高,发展较慢。东光微电是目前少数量产VDMOS产品的国内企业之一,故发展程度异常迅速。其以良好的性价比快速替代,产品一般比同类进口产品便宜30%以上,目前订单旺盛。

       2008年开始产出的VDMOS线产能利用率2010年9月已达82%.而其生产线产能利用率更是连续三年超过100%。

       目前该生产线年产能为1亿只VDMOS产品,技改后新增产能1.4亿只,总产能达到2.4亿只/年。VDMOS 是现阶段重点发展的产品,该技改在原生产线的基础上增加关键设备,预计项目实施将显着提高该产线的产能利用率。

       功率半导体是低碳应用的基础技术,功率器件的基本功能是通过对功率,能源,能耗的管理,以达到高效、合理的利用能源。中国的功率器件空间广阔。在功率器件中,MOSFET和IGBT是增速最快的两大市场,2008年MOSFET的增速为10.9%,IGBT的增速为13.4%,MOSFET销售237亿元,占功率器件整体的28.8%;IGBT为38.2亿元,占比达4.6%.当今节能环保、新能源开发的产业潮流势必给功率器件带来巨大的需求空间。VDMOS产品是LED节能灯的必需品,未来可望随LED通用照明市场的启动加速成长。值得关注的是,东光微电承担国家新能源逆变器用大功率VDMOS项目,未来可能进入新能源领域。

       另外值得一提的是,封装项目垂直整合业务,将显着降低采购成本。该项目将新建一条半导体封装生产线,由子公司东晨电子实施,项目建成后公司将新增半导体封装测试能力6.5亿只/年,现有封装能力为1.3亿只/年,项目建成后总封装能力将达到7.8亿只/年。公司目前的四大系列产品总产能为4.3亿只/年,防护器件和VDMOS的募投项目建成投产后,总体产能将达到7.92亿只/年。因此,该项目建成后预计基本能匹配满足东微电子产品的封装需求。2007 年、2008 年和2009 年封装成本占当期采购总额的比重分别为42.36%、37.40%和39.81%.经测算,公司自行封装单价约为0.135元,而外协封装单价约为0.174元,按6.5亿年产能计,该项目每年为公司节约成本2535万元,近乎相当于2009年全年的净利润总额,效益极其明显。

       

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